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[新闻图片]安森美半导体: 新型ESD抑制器件采用低高度封装(图)
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上一张 | [简介] μESD双串联二极管为便携式和电池供电应用提供双线保护、优异的ESD钳制性能和超低高度封装 2005年8月5日- 作为全球领先的分立器件供应商，安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出 μESD （微型ESD） 双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极... |
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