据报道,一家新兴的科技公司Innovative Silicon,将现有嵌入式DRAM内存密度提高2倍,处理器缓存所用的SRAM内存密度可以提高5倍,同时无需特殊材料或额外的生产步骤,AMD方面宣称Innovative Silicon提供的数据证明这种技术非常有前途。
不过AMD方面仍然需要保证新技术能在自己的产品中工作良好。如果测试结果表现良好,AMD方面将会在德国德累斯顿的Fab 30、Fab 36工厂90nm工艺和65nm工艺中使用新的缓存技术,但AMD没有透露何时会将新技术投入实用。
(第三媒体 2006-01-25)