Samsung 90nm 1GB DDR2
据悉，全球DRAM厂原本以为经过0.13～0.14微米制程转进至0.11微米制程时的教训之后，90nm制程转进之路将会顺利不少，然而事与愿违，至今除三星电子90nm制程产出比重得以顺利突破50％之外，其它DRAM厂仍陷在8～25％比重区间，似乎又陷入了当时转进0.11微米制程时无法拉升良率的困境。
对于三星来说，它相当早便已进入90nm制程研发，由于前后花了将近1年时间在90nm制程发展上，因而得以顺利大量投产，然但是，截至目前三星90nm制程比重仍仅达总产出约50％，仍比预期少了许多。而海力士虽然日前宣称，90nm制程已占其总产出达50％，但根据其实际产出状况来看，事实上海力士总产能中仅有25％系采用90nm制程，远低于海力士自己所宣称的50％比重。海力士由于受限于资金问题，仅能采用248微米步进机进行90nm制程生产。台DRAM厂方面，南亚科发表示，就目前投产90nm制程的进度来看，最快到2006年中左右，华亚科便会将所有生产标准型DRAM产能转进至90nm制程。但分析机构对此持保留态度，并预估到2006年中华亚科实际采用90nm制程比重最多仅有50％、甚至会更低。茂德发言人曾邦助则表示，由于海力士拥有优异技术，加上茂德本身已有12寸厂经验，因此，茂德90nm制程量产进度大约已达到8,500片；而业界估计90nm制程约占茂德总产出比重8％。力晶方面，由于甫自尔必达技转90nm制程，因此，仍仅限于小量试产阶段，业界估计90nm制程占力晶总产能比重应相对较小。值得注意的是，力晶技术母厂尔必达日前对外宣称，90nm制程占其日本12寸厂产能约50％，但分析机构及法人却认为，实际比重应没有那么大，预期应仅有15％系采用90nm制程投产。
全球DRAM厂产能简况 单位：百万颗
目前，多数DRAM厂认为，由于在先进制程转换上，已交了可观的学费，当初将制程技术转进至0.11微米制程时，花费了相当多的时间和精力，对于多数DRAM厂来说，直到近2～3个月0.11微米制程，才正式取代了先前0.13～0.14微米制程，成为了主流制程技术。因此，对于下一阶段由0.10～0.11微米制程转进至85～90nm制程，多抱有较为乐观的态度。但是，就集邦科技和法人机构近期所调查的全球DRAM厂转进90nm制程的实际进度来看，还是面临了较大的障碍，并不像业者所预期的那样顺利。目前，就连沟槽式技术鼻祖英飞凌旗下所采用90nm制程的产出比重，仍然仅占其总产能的20％左右，这对于其子公司华亚科技未来在采用90nm制程量产上，已经造成了不小的影响。因而，不少业内人士也认为，对于采用90nm沟槽式制程技术的DRAM厂来说，进入障碍确实较堆叠式还会高出许多。
（第三媒体 2005－12－14）
