存储器厂商 Infineon Technologies AG宣布：公司已向“PC行业开发”的合作者提供了第一批DDR3存储器芯片。配有DDR3内存条的计算机会尽快争取在2006年末期上市。
当前，Infineon可以提供800MHZ和1067MHZ DDR3存储器芯片，额定电压为1.5V。但公司希望DDR3的性能能够达到1600MHZ的级别。这比今天DDR2的最高频率要高出两倍。
Infineon公司在一份声明中说，“ Infineon与Nanya Technology Cooperation合作开发的第一代DDR3样品，预计将在2006年下半年上市。”早期，公司曾表示DDR3的样品会在2006年的末期上市。不过公司目前计划，根据匹配平台的效能，估计大量的产品生产要到2006年末了。
三星公司宣布：在明年二月中旬，将生产出世界上第一个512Mb的存储器芯片。它将严格遵守下一代DDR3标准，并且运行频率能达到1066MHZ。产品工作电压为1.5V，数据传输速率将达到1066Mbps。三星公司还说，DDR3内存将采用80nm生产工艺。目前，公司一直采用90nm工艺进行DDR和DDR2 SDRAM产品的生产。
DDR2除了在微结构上比DDR存储器拥有优势外，DDR2还在多方面具有超越DDR的优势，这包括：On-Die Termination(ODT)技术、4位预取、附加latency、增强寄存器等。而DDR3则比DDR2更胜一筹，它具有自驱动校准和数据同步能力。
市场调查公司iSuppli预计：DDR3 DRAM想作为主流产品，大量取代前辈DDR2恐怕要等到2008年，同年，DDR3的市场份额能占到55％的比例。IDC预计：估计第一批DDR3产品正式上市将在2006年，然而到2009年它的市场份额已能占到65％。（第三媒体 2005-06-18）
