英飞凌借PCIM舞台展示创新电源管理和供应解决方案

   （新闻稿易为公关公司提供）屡获奖项的CoolMOS和IGBT产品为中国电子行业带来功能先进且经济有效的技术
   英飞凌科技公司（FSE/NYSE代号：IFX）参加了3月12日到14日在上海新国际博览中心举行的PCIM China博览会。这家全球位居第六的德国半导体厂商展示了传动装置电力电子设备以及消费电子设备、汽车和工业用途电源管理和供应领域的先进技术和解决方案。
   “英飞凌参加PCIM China 2003博览会表明本公司致力于在中国市场发展，”英飞凌亚太区营销、汽车和工业部副总裁Andrew Chong先生说道，“我们坚信我们的技术创新和杰出的性价比将给本地厂商带来灵活性和成本效益，这正是他们面临全球竞争时增强自身竞争力所需的。”
   IMS Research 2002年发表的中国电源市场报告表明，中国信息技术以及其他工业设备制造业的迅速发展可为2002到2003年中国电力电子元件市场12%的强劲增长预测提供支持。
   如今，电力半导体产品只占世界电力业12%的份额。功耗的增加以及通信和信息技术领域对清洁、可靠电力需求的增长要求电源管理和供电组件和解决方案的尺寸更小、性能更高，同时符合环保要求。
除了一整套功能先进、经济有效的半导体产品之外，英飞凌还为中国电子设备厂商带来了全面的传动装置和电源管理解决方案并进行技术分享。
   2001年，英飞凌成为有史以来第一家荣获“德国工业创新奖－最佳技术创新奖”的半导体公司，这也使其在半导体领域的技术领袖地位得到公认。获奖的两款创新电力半导体产品分别是：高压MOSFET（CoolMOS）以及绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
   英飞凌的CoolMOS半导体产品可为电源带来全新的系统途径，比如用在PC、便携式计算机以及移动应用电池充电器里的电源。英飞凌的IGBT产品家族可为家用电器、空调系统和工业应用中使用的电动机传动装置创造新概念。这些获奖电力半导体产品可精确、可靠地调节传输至电气产品的能量。CoolMOS的导通电阻（RdsON）低，可大幅降低功耗。采用这种电力半导体的家用电器可使能量消耗降低30%。
   英飞凌另外一项领先技术是碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）。这种二极管利用新型半导体材料制成，是速度最快的高压肖特基二极管，而且不发生恢复，是300-600V领域的行业标准。
   英飞凌是世界上第一家可提供300-600V 肖特基二极管的电力半导体产品制造商，该产品以碳化硅（SiC）技术为基础。与采用硅或砷化镓技术的传统功率二极管相比， SiC肖特基二极管可大幅降低开关损耗并提高开关频率，同时可带来比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围。
   利用新的SiC肖特基二极管，可在比如PC、服务器以及移动电话基站等系统里采用可靠、紧凑并且开关频率高的开关模式电源（SMPS）。由于开关损耗低，因此这些二极管可在高开关频率下操作，而无需复杂的共振式开关电路或缓冲器。低开关损耗同样使SMPS无需使用散热片和风扇。（新闻稿易为公关公司提供 2003－03－13）